专利详情

专利名称	一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法
申请号	CN201210022543.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102540281A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	刘正坤;黄涛;邱克强;徐向东;付绍军
主分类号	G02B1/10(2006.01)I	IPC主分类号	G02B1/10(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法至一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种白光干涉位移传感器中楔形膜及其制作方法，该方法用压印技术在普通的光学基底上得到较好的面型，在压印后的基底上镀制反射率为某一值的金属膜，再在金属膜上通过压印技术制作出楔形膜，在楔形膜上表面镀制设计要求的半透半反膜，得到线性楔形膜。本发明这种厚度单调线性变化的楔形膜的制作方法解决了传感器中厚度在5～50微米线性变化的楔形膜的制作难题，为白光干涉位移传感器的研制提供了关键技术。