专利详情

专利名称	一种光栅耦合器及其制作方法
申请号	CN201210193178.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102692682A	公开（授权）日	2012.09.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;王曦;邹世昌
主分类号	G02B6/34(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/34(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I
专利有效期	一种光栅耦合器及其制作方法至一种光栅耦合器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法，提供一SOI衬底，刻蚀所述SOI衬底的顶层硅，形成周期为500~800nm的耦合光栅，同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区；于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成导电层，刻蚀所述导电层，形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构，同时形成CMOS的栅极结构；最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成，可共享掩膜，降低了制作成本；覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率；优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高；新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低，从而放松了对SOI衬底的规格要求。