专利详情

专利名称	ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
申请号	CN201010597879.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102104078A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	孟祥敏;黄兴
主分类号	H01L31/0336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I
专利有效期	ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法至ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法，属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料，并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS纳米管。此发明操作简单，对设备和原料条件要求低，且制备出的ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料，形貌纯净，ZnS外延性好，且是单晶外延，有区别于单一ZnO和ZnS纳米材料的光电特性，在纳米光电领域中具有广泛的应用前景。?