一种三维硅基电容器的制作方法
- 申请号：CN200910242766.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102104009A
- 公开(公开)日：2011.06.22
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种三维硅基电容器的制作方法 | ||
| 申请号 | CN200910242766.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102104009A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王惠娟;万里兮;吕壵 |
| 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种三维硅基电容器的制作方法 至一种三维硅基电容器的制作方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。 | ||
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