专利详情

专利名称	基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法
申请号	CN201010584462.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102556942A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;王权
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I
专利有效期	基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法至基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法，该方法首先在单晶硅片表面形成氧化层和低应力氮化硅层；然后在低应力氮化硅层上制作多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；再制作金属互连线形成加速度传感器输出电路；腐蚀单晶硅片形成凹腔，释放悬臂梁；并用BCB胶键合盖板硅片形成密闭空腔，完成加速度传感器芯片。本发明采用LPCVD淀积的低应力氮化硅薄膜作为加热电阻和温度敏感电阻的支撑层，并采用LPCVD淀积和掺杂工艺制作多晶硅加热电阻和多晶硅温度敏感电阻，所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，可靠性好，稳定性佳等优点，制作工艺与IC工艺兼容，有利于实现芯片微型化和低成本化。