专利详情

专利名称	一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用
申请号	CN201110234519.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102254814A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司	发明（设计）人	李涛;周春兰;宋洋;郜志华;罗运强;段野;李友忠;王文静
主分类号	H01L21/311(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/311(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用至一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。