专利详情

专利名称	一种测量FET沟道温度的装置及方法
申请号	CN201110223026.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102313613A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;陈晓娟;袁婷婷;罗卫军
主分类号	G01K11/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01K11/00(2006.01)I
专利有效期	一种测量FET沟道温度的装置及方法至一种测量FET沟道温度的装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。