一种热型红外探测器
- 申请号:CN201010228701.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102313601A
- 公开(公开)日:2012.01.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种热型红外探测器 | ||
| 申请号 | CN201010228701.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102313601A | 公开(授权)日 | 2012.01.11 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 董立军;陈大鹏 |
| 主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种热型红外探测器 至一种热型红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种热型红外探测器,包括:红外吸收元件,所述红外吸收元件包括热膨胀材料;应力改变元件,至少部分所述应力改变元件被所述红外吸收元件包围;和至少两个电极,与所述应力改变元件接触。红外吸收元件吸收红外温度升高而产生热膨胀,从而挤压与红外吸收元件相连的应力改变元件,使该应力改变元件内部产生应力,进而使其载流子迁移率发生变化,即电阻率发生变化,通过电阻率的变化表征应力改变元件的应力变化,最终表征被吸收的红外辐射功率。本发明的优点在于,所述器件的制造完全基于大规模集成电路的硅平面工艺,具有低成本高产出的特点。 | ||
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