一种半导体器件
- 申请号：CN200910242800.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102104042A
- 公开(公开)日：2011.06.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件 | ||
| 申请号 | CN200910242800.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102104042A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;韩锴;王晓磊;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件，具体来说，涉及一种界面优化的高k栅介质CMOS器件。在NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底上采用不同厚度或不同材料的界面层，不仅有效的减小了器件的EOT，尤其是PMOS器件的EOT，而且还提高了器件的电子迁移率，尤其是NMOS器件的电子迁移率，从而有效提高了器件的整体性能。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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