专利详情

专利名称	一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
申请号	CN200910242770.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102104002A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋毅;徐秋霞;周华杰
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法至一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO2氧化层/SiN/氧化物介质层)，电子束曝光，刻蚀凹槽和fin，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，干氧氧化，刻蚀去除fin两侧侧墙同时保留凹槽底部侧墙，三步牺牲氧化形成纳米线，湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离，长栅介质和垫积栅材料，反刻栅后进行两步源漏注入，垫积和刻蚀侧墙，形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应，具有更低的成本，完全采用传统自顶向下工艺实现了与CMOS工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往更小方向发展。