专利详情

专利名称	可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
申请号	CN200910201333.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102103058A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;吴燕红;成海涛;戴斌;吴紫阳
主分类号	G01N5/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01N5/02(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法至可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、位于<111>晶向占优的金膜上的单分子层以及位于单分子层上的生化敏感膜。由于柱状电极阵列是不连续的，并且高度远大于直径，生化膜内的应力不会传递到梁结构上，不会对梁结构的共振频率产生影响，可提高痕量质量传感器的信噪比。