专利详情

专利名称	多栅器件的形成方法
申请号	CN201110182423.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856181A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞;陈大鹏
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	多栅器件的形成方法至多栅器件的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明有利于提高介质层的全局平坦度和局部平坦度，改善器件的一致性。