专利详情

专利名称	一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法
申请号	CN201210332265.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856165A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	戴隆贵;丁芃;陈弘;贾海强;王文新
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法至一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上制备周期性纳米光刻胶点阵图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层，将衬底放入腐蚀液进行腐蚀，利用氢氟酸溶液去除衬底上残留的二氧化硅，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的有序V形纳米硅孔阵列衬底。本发明采用纳米光刻与干湿法刻蚀相结合的技术简单有效的获得了有序V形纳米硅孔阵列衬底，适用于无缺陷的硅基量子点的定位、可控外延生长，可广泛应用于光子晶体，量子信息以及磁性介质存储等领域。