专利详情

专利名称	一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法
申请号	CN201210332334.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856166A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	戴隆贵;丁芃;陈弘;贾海强;王文新
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法至一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层，将衬底放入腐蚀液进行腐蚀，将光刻胶光栅图形倍频转移至硅层上，去除二氧化硅掩膜层和氟碳基有机聚合物层，得到清洁的倍频V形纳米硅槽衬底。本发明采用纳米光刻技术简单有效的获得了纳米尺度的周期性光栅结构，并结合干湿法刻蚀技术，将图形周期减少一倍，图形密度增加一倍，得到线宽精度更高的倍频V形纳米硅槽衬底，适用于硅基量子线，硅基光纤阵列等器件的制备。