专利详情

专利名称	硅片去胶装置及方法
申请号	CN201010209822.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102298276A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王磊;景玉鹏
主分类号	G03F7/42(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/42(2006.01)I
专利有效期	硅片去胶装置及方法至硅片去胶装置及方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种硅片去胶装置，包括去离子水储罐、CO2储气罐、混合罐、对混合溶液加热的热交换器及用于对硅片去胶的反应腔体；去离子水储罐与CO2储气罐的出口与混合罐一端连接，混合罐另一端通过热交换器与反应腔体入口连接。还公开了一种硅片去胶方法包括：形成液态CO2和去离子水的混合溶液；对混合溶液加热，使混合溶液中的CO2达到超临界态，使去离子水达到高温高压状态；及使用含超临界态的CO2和高温高压的去离子水的混合溶液对硅片进行去胶处理。通过本发明提供的装置及方法，可以将无机碳化厚层和底部有机光刻胶全部氧化溶解，去胶效率较高，无残留物，薄膜材料的损失最小化。