一种半导体器件
- 申请号：CN201190000071.1
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202633239U
- 公开(公开)日：2012.12.26
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201190000071.1 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202633239U | 公开（授权）日 | 2012.12.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底为碳化硅、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合；石墨烯层或碳纳米管层，所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构形成于所述石墨烯层或碳纳米管层上，且暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层；金属接触层，所述金属接触层环绕所述栅极结构，且位于暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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