专利详情

专利名称	一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的方法
申请号	CN201110158838.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102344194A	公开（授权）日	2012.02.08
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	贾汉忠;王传义;李守柱;范晓芸
主分类号	C02F1/70(2006.01)I	IPC主分类号	C02F1/70(2006.01)I;C02F1/28(2006.01)I;C02F1/58(2006.01)I
专利有效期	一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的方法至一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的方法，该方法采用蒙脱石粘粒为纳米零价铁制备的模板，通过原位插层的方法制备蒙脱石负载(亚)纳米零价铁，采用蒙脱石的预处理、Fe3+饱和型蒙脱石的制备、Fe3+饱和型蒙脱石的酸化和蒙脱石负载零价铁的制备步骤完成。通过该方法获得的蒙脱石负载型零价铁复合材料中纳米零价铁处于蒙脱石层间，且以纳米或亚纳米级原子簇尺度存在，与其它类型的纳米零价铁相比具有更高的反应活性和还原有效性。以蒙脱石为零价铁制备的模板不但可以防止零价铁颗粒的团聚，增强其流动性，还可在很大程度上保护零价铁，免于被水分子氧化。该方法解决了纳米零价铁在合成和应用过程中易团聚、易被水氧化和流动性差的问题。为治理环境污染提供更加有效的材料和技术。