一种隧穿晶体管结构及其制造方法
- 申请号：CN201010233546.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102339753A
- 公开(公开)日：2012.02.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010233546.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102339753A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法 至一种隧穿晶体管结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种隧穿晶体管结构及其制造方法，在后栅集成工艺中，在栅极的高度方向上形成垂直结构的隧穿晶体管，其相反类型的掺杂区无需额外掩膜就可形成，而且完全集成于后栅工艺中，此外，由于伪栅极的高度决定晶体管的沟道长度，相比较由刻蚀工艺确定的沟道长度，本发明方法形成的沟道长度易得到更好的控制。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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