专利详情

专利名称	一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器
申请号	CN201110160543.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102339951A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	饶峰;宋志棠;夏梦姣
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器至一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40 x 98，或三元材料MySbxTe100-x，40 x 98，1 y 40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。