专利详情

专利名称	多功能存储单元、阵列及其制造方法
申请号	CN201110122303.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102779550A	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;李冬梅;王琴;刘璟;朱晨昕
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I
专利有效期	多功能存储单元、阵列及其制造方法至多功能存储单元、阵列及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种多功能存储单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器。通过将电荷俘获式存储器和阻变存储器集成在一个存储单元中，可以根据不同的应用环境实现CTM或RRAM两种不同的存储方式，通过制造该存储单元便能提供具有CTM和RRAM两种功能的存储器件，大大降低了存储器产品的制造成本。