半导体器件及其形成方法、封装结构
- 申请号：CN201110112565.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102769002A
- 公开(公开)日：2012.11.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法、封装结构 | ||
| 申请号 | CN201110112565.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102769002A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;闫江;赵超 |
| 主分类号 | H01L23/46(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/46(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法、封装结构 至半导体器件及其形成方法、封装结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件及其形成方法、封装结构，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有MOS场效应晶体管；介质层，位于所述半导体衬底上并覆盖所述MOS场效应管晶体管，所述介质层中形成有多个互连结构；散热通路，嵌于所述互连结构之间的介质层中，以供液体或气体在其中流通，所述介质层的表面暴露所述散热通路的开口。本发明有利于提高散热效率，避免芯片过热。 | ||
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