专利详情

专利名称	高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
申请号	CN201010534588.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102064242A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	黄亚军;樊中朝;刘志强;伊晓燕;季安;王军喜
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I
专利有效期	高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法至高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。