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集成电路版图中冗余金属的填充方法

  • 申请号:CN201010514565.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102456080A
  • 公开(公开)日:2012.05.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 集成电路版图中冗余金属的填充方法
申请号 CN201010514565.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102456080A 公开(授权)日 2012.05.16
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 杨飞;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;周隽雄;叶甜春
主分类号 G06F17/50(2006.01)I IPC主分类号 G06F17/50(2006.01)I
专利有效期 集成电路版图中冗余金属的填充方法 至集成电路版图中冗余金属的填充方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响,这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响,提高产品的可靠性。

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