集成电路版图中冗余金属的填充方法
- 申请号:CN201010514565.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102456080A
- 公开(公开)日:2012.05.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 集成电路版图中冗余金属的填充方法 | ||
| 申请号 | CN201010514565.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102456080A | 公开(授权)日 | 2012.05.16 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 杨飞;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;周隽雄;叶甜春 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 集成电路版图中冗余金属的填充方法 至集成电路版图中冗余金属的填充方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响,这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响,提高产品的可靠性。 | ||
交易流程
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