专利详情

专利名称	碳化物复合相变存储材料及制备方法
申请号	CN201010515116.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102453823A	公开（授权）日	2012.05.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;朱敏;宋志棠
主分类号	C22C32/00(2006.01)I	IPC主分类号	C22C32/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	碳化物复合相变存储材料及制备方法至碳化物复合相变存储材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大了复合材料的电阻率，使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外，可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值，避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。