专利详情

专利名称	磁头衬底材料及其制备方法
申请号	CN200910198398.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102054497A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	王连军;刘磊峰;张建峰;江莞;陈立东
主分类号	G11B7/241(2006.01)I	IPC主分类号	G11B7/241(2006.01)I
专利有效期	磁头衬底材料及其制备方法至磁头衬底材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/Ti3SiC2新型磁头衬底材料。该材料的突出特点是组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中基体Al2O3晶粒尺寸为200-400nm，TiC的晶粒尺寸为1～2um，Ti3SiC2晶粒尺寸在2～5um。材料的抗弯强度在600～900MPa，显微硬度在12～19GPa。该磁头衬底材料具有制备周期短、能耗低、可加工性好，优秀的传热性能等特性，具有良好的产业化前景。