专利详情

专利名称	一种表面等离子体共振芯片的制备方法
申请号	CN201010594572.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102002670A	公开（授权）日	2011.04.06
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	牛利;王伟;包宇;李敏
主分类号	C23C14/18(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I
专利有效期	一种表面等离子体共振芯片的制备方法至一种表面等离子体共振芯片的制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明实施例公开了一种表面等离子体共振芯片的制备方法，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-1～10-3mbr，以铬为靶材，靶基距为5～9cm，在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜；步骤c)以金为靶材、靶基距为5～9cm，在真空度为10-1～10-3mbr的条件下，在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜。本发明采用真空溅射原理，并采用5～9cm的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本发明制备的金属薄膜厚度均匀，为50nm左右。