一种等离子体浸没离子注入系统
- 申请号：CN201020247215.0
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN201785483U
- 公开(公开)日：2011.04.06
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种等离子体浸没离子注入系统 | ||
| 申请号 | CN201020247215.0 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN201785483U | 公开（授权）日 | 2011.04.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 |
| 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种等离子体浸没离子注入系统 至一种等离子体浸没离子注入系统 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本实用新型提既提高了掺杂注入的均匀性，又消除了中、高能浸没离子注入由于鞘层过宽而引起的等离子体熄灭，还能实现低气压下的中、高能浸没离子掺杂注入。 | ||
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