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用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置

  • 申请号:CN201020250591.5
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN201785484U
  • 公开(公开)日:2011.04.06
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
申请号 CN201020250591.5 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN201785484U 公开(授权)日 2011.04.06
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔
主分类号 C23C14/48(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/48(2006.01)I
专利有效期 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置 至用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B,所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间,所述隔板A和隔板B相同,并可平行抽动;所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小,从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度,圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布,通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室,从而最终实现大面积基片的均匀离子注入。

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