专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910235339.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102034865A	公开（授权）日	2011.04.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件形成在SOI衬底上，所述SOI衬底包括掩埋绝缘层和在掩埋绝缘层上形成的半导体层，在所述半导体层中形成了半导体材料的鳍片，所述鳍片包括垂直于SOI衬底表面的两个相对侧面，所述半导体器件包括：设置在鳍片两端的源区和漏区；设置在鳍片的中间部分的沟道区；以及设置在鳍片的一个侧面上的栅极电介质和栅极导体的叠层，所述栅极导体与所述沟道区之间由所述栅极电介质隔离，其中所述栅极导体沿着平行于所述SOI衬底表面的方向背离所述鳍片的所述一个侧面延伸。所述半导体器件减小了短沟道效应，并且减小了寄生电容和寄生电阻，从而有利于晶体管尺寸缩小和提高晶体管性能。