Ⅰ型锑基笼合物材料及其制备方法
- 申请号:CN200910112583.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号:CN102031415A
- 公开(公开)日:2011.04.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | Ⅰ型锑基笼合物材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910112583.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102031415A | 公开(授权)日 | 2011.04.27 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明(设计)人 | 吴立明;刘毅;陈玲 |
| 主分类号 | C22C12/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C12/00(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;C22C30/06(2006.01)I;C22C30/02(2006.01)I;C22C30/04(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | Ⅰ型锑基笼合物材料及其制备方法 至Ⅰ型锑基笼合物材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一类I型锑基笼合物材料及其制备方法,属于无机材料领域。本发明采用无机固相一步合成法或两步合成法进行合成。本发明中,利用过渡金属或者主族元素对锑基骨架进行了修饰,在骨架原子所形成的多面体空腔中填充了碱金属填隙原子,得到了一类I型锑基笼合物材料,其分子式通式可以表示为:A8MxSb46-x,(18≤x≤25)式中A为填隙原子,为碱金属Rb,Cs中的一种,M为第二骨架元素,为过渡金属或者主族金属原子,为Zn,Cd,Ga,In中的一种,x表示第二骨架元素的摩尔含量,当M=Zn,Cd,x=18;当M=Ga,x=25;当M=In,x=20。本发明获得的笼合物材料,具有化学物相单一,均匀性好,组分可控等优点。本发明制备的I型锑基笼合物材料,成功拓展了I型笼合物理论和实验研究范围,具有潜在的热电应用价值。 | ||
交易流程
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