金属有机铂(Ⅱ)配合物的一维微米或亚微米材料及其制备方法和用途
- 申请号:CN200910235293.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN102030783A
- 公开(公开)日:2011.04.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 金属有机铂(Ⅱ)配合物的一维微米或亚微米材料及其制备方法和用途 | ||
| 申请号 | CN200910235293.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102030783A | 公开(授权)日 | 2011.04.27 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 吴骊珠;刘贤玉;王耀;王晓军;师文生 |
| 主分类号 | C07F17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C07F17/02(2006.01)I;C07F15/00(2006.01)I;C07D207/335(2006.01)I |
| 专利有效期 | 金属有机铂(Ⅱ)配合物的一维微米或亚微米材料及其制备方法和用途 至金属有机铂(Ⅱ)配合物的一维微米或亚微米材料及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及光电导微米或亚微米材料,特别涉及可制造成光电导微米器件的金属有机铂(II)配合物的一维微米或亚微米材料,以及金属有机铂(II)配合物的一维微米或亚微米材料的制备方法。本发明的金属有机铂(II)配合物的一维微米或亚微米材料是由金属有机铂(II)配合物通过分子间PtII-PtII相互作用、配体π-π相互作用或C-H…PtII相互作用自组装得到的。通过溶液法自组装得到的一维微米或亚微米材料表现出半导体的性质,在光照下导电率明显增加,是一类结构新颖、制备方便、响应度高、稳定可反复使用的光电导器件。 | ||
交易流程
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