专利详情

专利名称	Mn₂₇Si₄₇-Si异质结构纳米线阵列或Mn₂₇Si₄₇纳米线阵列的制备方法
申请号	CN201010538239.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102030309A	公开（授权）日	2011.04.27
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	Mn₂₇Si₄₇-Si异质结构纳米线阵列或Mn₂₇Si₄₇纳米线阵列的制备方法至Mn₂₇Si₄₇-Si异质结构纳米线阵列或Mn₂₇Si₄₇纳米线阵列的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线阵列作为硅源，以MnCl2为Mn源，通过原位反应得到Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47一维纳米线阵列。本发明的制备方法简单，得到的Si-Mn27Si47异质结构纳米线阵列中的Mn27Si47和Mn27Si47一维纳米线均为单晶结构，纳米线的直径都为100～300nm，长度都为20μm。本发明制备的Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米线阵列在基于Si纳米线的红外探测器、太阳能光伏器件等方面具有巨大的潜在应用价值。

交易流程

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