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稀土离子掺杂钇铝石榴石激光陶瓷的制备方法

  • 申请号:CN201010234709.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN101905971A
  • 公开(公开)日:2010.12.08
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 稀土离子掺杂钇铝石榴石激光陶瓷的制备方法
申请号 CN201010234709.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101905971A 公开(授权)日 2010.12.08
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 刘文斌;张文馨;寇华敏;沈毅强;李江;姜本学;周军;潘裕柏
主分类号 C04B35/44(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/44(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期 稀土离子掺杂钇铝石榴石激光陶瓷的制备方法 至稀土离子掺杂钇铝石榴石激光陶瓷的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种稀土离子掺杂钇铝石榴石(RE:YAG)透明陶瓷的制备方法,其特征在于按照材料的化学剂量比进行配料,混合成均匀的Al、Y、Mg和RE硝酸盐溶液,以NH4HCO3作为沉淀剂,逐滴滴加到混合硝酸盐溶液中,同时进行充分的搅拌,然后陈化形成沉淀液;沉淀液经过滤、洗涤、烘干、过筛;前驱体在空气气氛中,在900~1500℃煅烧,得到RE:YAG纳米粉体,粉体中所含有的MgO与Al2O3反应形成镁铝尖晶石,分散在RE:YAG晶界上,在1500℃以下煅烧阶段,抑制RE:YAG晶粒的异常长大,细化晶粒尺寸,使粉体保持良好的烧结活性。将煅烧粉体的素坯在1650~1850℃真空烧结,抛光样品在350-1100nm波段透过率最高可达到82%以上。

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