专利详情

专利名称	一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
申请号	CN201010235870.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101905858A	公开（授权）日	2010.12.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨晋玲;解婧;刘云飞;杨富华
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法至一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。