专利详情

专利名称	大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
申请号	CN201010235859.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101905857A	公开（授权）日	2010.12.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨晋玲;刘云飞;解婧;杨富华
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法至大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO2层的湿法腐蚀之前，在器件表面旋涂一层光刻胶，使其完全覆盖贵金属层表面。利用本发明，使光刻胶形成具有较低孔密度的致密体型高分子结构，阻断贵金属与结构层材料在HF基腐蚀液中的原电池电路，从而有效避免了结构层材料被氧化腐蚀。该方法仅在标准MEMS器件加工工艺中增加一步标准光刻步骤，就可以有效避免因结构层材料被电化学腐蚀而造成的器件性能下降，且工艺实施简单，同IC工艺相兼容，利于器件的批量化生产。