半导体器件及其形成方法
- 申请号：CN201010185012.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102254824A
- 公开(公开)日：2011.11.23
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010185012.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102254824A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法采用先去除伪堆叠以形成开口；而后从所述开口对衬底进行蚀刻而形成沟槽，并在所述沟槽的侧壁下部形成间隔层；然后在所述沟槽的底部形成掺杂阱区，以及在所述掺杂阱区上方形成沟道区；最后，在开口中形成栅极区。通过本发明能够避免将掺杂剂不当引入源极区和漏极区的问题，还避免了在掺杂阱形成过程中容易出现的重掺杂内侧墙外延生长，进一步阻止了将掺杂剂不当地引入后续形成的沟道区中的问题，从而提高器件性能。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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