专利详情

专利名称	一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法
申请号	CN201110174062.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102254795A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;张有为;徐大伟;王中健;夏超;俞跃辉
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法至一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合光刻胶层的掩膜厚度以及光刻胶图形的宽度计算得到的；去除光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从碳离子注入区域中析出重构，在过渡金属基底表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。相比于现有技术，本发明通过计算以特定的注入角度进行碳离子注入，制备出石墨烯纳米带，具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。