减小LER的方法及实施该方法的装置
- 申请号：CN201010181618.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 公开(公开)号：CN102254808A
- 公开(公开)日：2011.11.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 减小LER的方法及实施该方法的装置 | ||
| 申请号 | CN201010181618.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102254808A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 减小LER的方法及实施该方法的装置 至减小LER的方法及实施该方法的装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小线边缘粗糙度(LER)的方法以及实施该方法的装置。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成半导体器件，所述半导体器件包括特定特征结构；平行于特定特征结构方向、并与半导体衬底表面呈倾斜角度对特定特征结构进行离子/等离子体刻蚀。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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