专利详情

专利名称	铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置
申请号	CN201010507303.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101958371A	公开（授权）日	2011.01.26
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	刘壮;肖旭东;杨世航;王晓峰;张撷秋;马续航;卢兰兰;宋秋明;钟国华
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置至铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置，包括进样室，与进样室真空连接的铜铟镓硒蒸发室和样品运转室，与样品运转室真空连接的钼溅射室、激光光刻室、铜铟镓溅射室、硒化室及氧化锌溅射室。铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置还包括与样品运转室相连的过渡室和与过渡室相连且处于常压下的电化学反应室。上述铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置将整个铜铟镓硒太阳能电池制备模块整合到一起，实现玻璃衬底进样，太阳能电池产品出样的流水线作业。由于绝大部分制备室之间真空相连，可减少或降低样品制备过程中暴露在空气中引起的氧化和杂质污染问题，提高产品质量。