专利详情

专利名称	一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片
申请号	CN201010234867.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101958331A	公开（授权）日	2011.01.26
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	叶振华;胡伟达;殷建军;吴廷琪;晨昱;邢雯;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力
主分类号	H01L27/144(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/144(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I
专利有效期	一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片至一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。