专利详情

专利名称	利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
申请号	CN201010223135.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101958271A	公开（授权）日	2011.01.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法至利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度为10-50nm。由本发明提供的工艺只需简单的一步外延工艺和湿法刻蚀工艺实施，避免了大量穿透位错的产生，获得高质量的应变硅薄膜材料。