专利详情

专利名称	一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法
申请号	CN201010223124.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101958270A	公开（授权）日	2011.01.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法至一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法，其特征在于在选定的半导体衬底材料上外延生长一层半导体材料，该外延生长的半导体材料厚度在临界厚度以内，且使晶体处于完全应变状态，接着进行氧离子注入，使氧离子主要分布在半导体衬底材料中，最后进行800-1200℃高温退火，在形成绝缘埋层的同时，使外延生长的半导体材料顶部发生弛豫，将应力转移到衬底材料的顶部中去，形成新的应变层。所制备的超薄应变材料层≤50nm。本发明只需一步氧离子注入结合外延工艺而省去键合和剥离工艺，使绝缘体上硅得以简单实现。