专利详情

专利名称	三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
申请号	CN201010113816.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101794851A	公开（授权）日	2010.08.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L33/38(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/38(2010.01)I
专利有效期	三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极至三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。