专利详情

专利名称	平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
申请号	CN201010113804.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101794850A	公开（授权）日	2010.08.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L33/38(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/38(2010.01)I
专利有效期	平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极至平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。