专利详情

专利名称	氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
申请号	CN201010251510.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101974772A	公开（授权）日	2011.02.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏
主分类号	C25D5/10(2006.01)I	IPC主分类号	C25D5/10(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法至氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层；对一次电镀层进行减薄抛光处理，使其表面光亮平整；用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形，作为光刻对准标记；运用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在一次电镀层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积；继续电镀，在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层；剥离光刻胶图形的光刻胶，裸露出光刻胶图形下的一次电镀层，该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底；清洗吹干，完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。