一种非线性光学晶体2-吡啶硫基乙二硫醇锑及其制备方法和用途
- 申请号:CN200810072292.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号:CN101747379A
- 公开(公开)日:2010.06.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种非线性光学晶体2-吡啶硫基乙二硫醇锑及其制备方法和用途 | ||
| 申请号 | CN200810072292.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN101747379A | 公开(授权)日 | 2010.06.23 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明(设计)人 | 李志华;杜少武 |
| 主分类号 | C07F9/90(2006.01)I | IPC主分类号 | C07F9/90(2006.01)I;H01S3/109(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种非线性光学晶体2-吡啶硫基乙二硫醇锑及其制备方法和用途 至一种非线性光学晶体2-吡啶硫基乙二硫醇锑及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种非线性光学晶体2-吡啶硫基乙二硫醇锑,属于无机化学领域,也属于材料科学领域。该晶体化学式为Sb(SCH2CH2S)(SC5H4N),分子量为324.07,属正交晶系,空间群Pna2(1),单胞参数为a=9.339(3)b=12.304(4)c=9.159(3)alpha=90°,beta=90°,gamma=90°,V=1052.5(6)Z=4。该晶体采用两步法合成:先制备成氯化乙二硫醇锑,再以此进行置换反应,得到最终产物2-吡啶硫基乙二硫醇锑。该晶体具有优良的非线性光学性能,其粉末倍频效应(SHG)系数为KDP的2.0倍。 | ||
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