氧化锆基传感器的低温共烧方法
- 申请号：CN201210445355.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102910903A
- 公开(公开)日：2013.02.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氧化锆基传感器的低温共烧方法 | ||
| 申请号 | CN201210445355.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102910903A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 冯涛;夏金峰;蒋丹宇 |
| 主分类号 | C04B35/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/48(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
| 专利有效期 | 氧化锆基传感器的低温共烧方法 至氧化锆基传感器的低温共烧方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种片式氧化锆传感器的低温共烧方法，所述方法包括：在氧化钇稳定氧化锆中加入低熔点、具有离子导电性的玻璃粉，配制浆料；将浆料流延成型，切割，冲过孔、参比气体通道、气体室等；印刷Pt等贵金属电极，叠层热压，并在1000℃～1200℃下共烧0.5～4小时。 | ||
交易流程
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