专利详情

专利名称	一种快速表征相变材料及介质层的方法
申请号	CN200910200962.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101776718A	公开（授权）日	2010.07.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;吕士龙
主分类号	G01R31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种快速表征相变材料及介质层的方法至一种快速表征相变材料及介质层的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。