专利详情

专利名称	一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统
申请号	CN200920350781.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201729657U	公开（授权）日	2011.02.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王磊;景玉鹏
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统至一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统，该系统利用六氟化氙为反应性刻蚀气体，二氧化碳为辅助刻蚀气体。六氟化氙化学性质非常活泼，是强氧化剂和氟化剂。利用六氟化氙进行牺牲层释放是在无等离子环境中进行的，因此不会对硅片和微结构造成损伤。与传统的牺牲层释放方法相比，该方法设备简单，刻蚀速率较快，刻蚀后的表面光滑度高。二氧化碳作为辅助刻蚀气体，一方面调节气路气体混合比，提高安全性；另一方面利用二氧化碳在迅速减压时容易形成干冰的特点，对硅片进行物理辅助刻蚀，调节刻蚀速率。