专利详情

专利名称	一种等离子体阴极与保护方法
申请号	CN200910013167.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101998750A	公开（授权）日	2011.03.30
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杨永进;张劲松;孙家言;孙博
主分类号	H05H1/48(2006.01)I	IPC主分类号	H05H1/48(2006.01)I
专利有效期	一种等离子体阴极与保护方法至一种等离子体阴极与保护方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及等离子体技术以及化工合成领域，具体为一种应用于等离子体高温合成所使用的直流等离子体装置阴极与保护方法，解决现有等离子体阴极存在的能量利用率低、烧蚀严重的问题。该等离子体阴极为空心阴极和水冷阴极构成的复合阴极，复合阴极的一端为中空结构的空心阴极，复合阴极的另一端为带水冷结构的水冷阴极，空心阴极与水冷阴极上设有相互连通的气体通道，所述气体通道一端与气体入口连通，所述气体通道另一端与空心阴极的内腔连通，由气体通道向空心阴极通入以氢气与烃类组成的混合保护性气体。利用本发明所提供的技术方案能大幅度地提高等离子体阴极的使用寿命、阴极的能量利用率、工作稳定性高，同时具有适用范围广的特点。